لماذا هارد SSD والفلاش ميموري له عمر وعدد محدد من مرات الكتابة والحذف ؟

قبل ذلك قمنا بعرض  اشياء لا يجب ان تفعلها مع هارد SSD وكان من ضمنها هو عدم الكتابة والحذف المستمر علي الهارد واخبرناكم لان هارد SSD وكذا ...
قبل ذلك قمنا بعرض اشياء لا يجب ان تفعلها مع هارد SSD وكان من ضمنها هو عدم الكتابة والحذف المستمر علي الهارد واخبرناكم لان هارد SSD وكذا الفلاش ميموري لهم عدد محدد من عدد مرات الكتابة والحذف بمعني انه في كل مرة تقوم بملء الهارد او الفلاشة بالبيانات والملفات ثم تقوم بحذف هذه الملفات فان هذا يؤدي الي سرعة فقد الهارد لامكانيته في التخزين من جديد ولو حتي نسبيا وهو الامر الذي دفعنا الي كتابة كيف تقوم بتفعيل الامر TRIM لاطالة عمر هارد SSD وبالطبع تساءل الكثير عن السبب وراء ذلك ولم نرغب في ان نجعلكم في حيرة أكثر وقررنا الاجابة عليكم في هذا الموضوع.



سأحاول بقدر الامكان تبسيط الاجابة الي اقصي حد وعدم المحاولة في الدخول الي تفاصيل اخري قد يصعب عليك فهمها الان وسنخصص موضوع باذن الله فيما بعد يشرح فكرة عمل وفكرة تخزين الداتا علي الفلاش ميموري وهارد SSD فيما بعد ولكن ما يهمني ان تفهمه الان هو ان تكوين الفلاشة مثلا غير تكوين الهارد العادي الذي تعودنا عليه والذي شرحناه في سلسلة مواضيع كامله بمعظم تفاصيله.

مواضيع السلسلة 

لان الفلاش ميموري او هارد SSD لا يملكون اي اجزاء ميكانيكية كما في الهارد العادي وانما تكون فكرة عملهم باختصار عبارة عن كهرباء والكترونات وشحنات كهربية وفكرة عمل الفلاشة وتكوينها عبارة عن تكوين خلية يتم تسجيل البيانات خلالها وقديما كانت تعمل الخلايا بمبدأ يطلقون عليه SLC او Single Level Cell وهو معناه ان كل خلية كان يمكن تخزين 1 بت فقط عليها وتم تطوير هذا النظام فيما بعد الي ما يسمي MLC بمعني Multi Level Cell وهذا معناه ان الخلية اصبح بامكانها تسجيل اكثر من بت من المعلومات خلالها .. حسنا ما علاقة هذا بما نقوله .. ركز معي.

- مكونات عليك معرفتها !

خلايا الفلاش ميموري عبارة عن شبكة من الصفوف والاعمدة وعند تقاطع كل عمود وصف يوجد عدد 2 ترانزيستور transistor وكل ما عليك معرفته الان ان كل ترانزيستور منعزل عن الاخر بطبقة رقيقة من الاكسيد Oxide التي تغطي الخلية وان احد هذه الترازستورات يكون ما يسمي بالـ Floating gate والاخر يكون ما يسمي بالـ Control Gate و الـ Control gate هي التي تقوم بالتحكم في الالكترونات التي تمر في الـ Floating gate وهي التي تقوم بتغيير الخصائص الكهربية للخلية بالكامل عن طريق تغيير شحنتها سواء وتخزين المعلومات علي هيئة 0 او 1 كما نعلم ولأن الفلاشات الحديثة تمتلك نوع من الخلايا يمكن كتابة المعلومات عليها اكثر من مرة فان قابلية الخلية لاستقبال معلومات جديدة تقل بقدرة الـ Floating gate لاستقبال والتقاط شحنات كهربية او الكترونات تقوم بتغيير شحنتها مرة اخري.

- ولكن لماذا تقل حساسية الـ Floating gate لاستقبال الشحنات الكهربية ؟

في كل مرة يتم الكتابة او الحذف من الفلاشة فان طبقة الاكسيد Oxide التي تحدثنا عنها تقوم بعزل الـ Floating gate حتي لا تقوم بالتحلل فتمنعها من استقبال اي شحنات كهربية لمدة زمنية معينة وباستمرار هذه العملية فانه مع مرور الوقت تضعف طبقة الاكسيد تلك وتقل حساسية الـ Floating Gate من استقبال المزيد من الشحنات , ربما تظل تعمل طبقا لوظيفتها كما هي ولكن ليس بالدقة المناسبة طبقا لعمليات الكتابة عليها لذلك تجد المشاكل تزداد عند استخدامك للفلاشة وكذلك الامر ينطبق علي هارد SSD 

دعك من كل هذا التعقيد وفكر في هذه الاجابة البسيطة .. 

ربما قد تكون ندمت انك اقحمت نفسك في كل هذا الكلام السابق واجزاء ومكونات ونظريات قد لا تفهمها بالرغم انني لم استفيض فيها ولكن سأشرح لك الامر بطريقة ابسط جدا ودون الدخول في اي مكونات الفلاشة او طريقة عملها .. فكر معي في انك تمسك قطعة عادية جدا من الورق وقلم رصاص.

والان قم باخذ راحتك المطلقة في الكتابة بالقلم الرصاص علي الورقة ثم مسح ما كتبته بالممحاة والكتابة مرة اخري ثم مسح ما كتبته بعدد ما يمكنك من المرات والي اقصي عدد تريده ولكن رجاء ان تكون الكتابة ومسحها في نقطة واحدة او منطقة معينة صغيرة في الورقة , والان اخبرني كم عدد المرات التي ستقوم بالكتابة فيها والمسح قبل ان تصنع قطع او تمزق الورقة في هذا المكان بالذات ؟؟ هارد SSd والفلاش ميموري يتبعون نفس النظرية بالضبط ولكن بالنسبة لمستوي الالكترونات وليس القلم الرصاص.
تعليقات

احدث المقالات