العام 2016 قد يعتبر من أهم الأعوام بالنسبة للتطورات التقنية أو بالأحرى للنهضات التقنية ، موضوعنا اليوم عن مكون مهم جداً في الحاسب والطريقة المصممة بها قال عنها الكثير من الخبراء أنها مستحيلة التطبيق، لكن Intel أو كما أدعوها أنها "شركة المستحيلات" قامت بتطوير هذه الذاكرة وأسمتها 3D XPoint ، لكن ما الجديد بها ؟! دعني أنا أعرفك عليها وأقارنها لك مع أنواع الذواكر الأخرى لأننا في عالم الكمبيوتر نسعى دائماً ليكون متابعينا على علم ودراية بكافة التطورات التي تجري في العالم.
ما الغريب في هذه الذاكرة؟ ماذا لو كانت سرعة الذاكرة لديك أسرع بكثير عما نعرفه في أيامنا هذه؟ يمكنك بالتأكيد إطلاق العنان لمعالجك المركزي ولن يكون لديك وقت انتظار نهائياً ، كما هو معروف مواصفات الذاكرة التي نسعى لها هي أن تكون سريعة ، رخيصة ، وغير كهربائية كي لا تذهب بياناتك عند انقطاع التيار الكهربائي عن الحاسب ، مقارنة بين أنواع الذواكر الموجودة في هذا الوقت وكرأي شخصي DRAM هي الأفضل حتماً الآن فهي سريعة جداً في وقتنا هذا لكنها تعتبر نوعاً ما غالية وهي كهربائية أي تفقد معلوماتها عند انقطاع التيار عنها وهي لا تتطور أو بالأحرى لا تتضاعف إلا كل سنتين مرة واحدة فقط لذلك هي فعلياً طريقاً مسدوداً الآن.
وفي وجه آخر ذواكر الـ NAND الموجودة في SSD في الوقت الحالي هي غير غالية وغير كهربائية وهي أيضاً سريعة مقارنة بأجهزة التخزين الأخرى حيث أنها أسرع ب 1300 مرة من القرص الصلب لكنها أبطأ بـ1500 مرة من ذواكر DRAM لذلك تعتبر أيضاً خيار غير مرغوب عند الكثير ، كما قلت سابقاً الهدف هو الحصول على ذاكرة رخيصة وسريعة والأهم من ذلك غير كهربائية وهذا ما توصلت إليه شركة Intel وهذا ما سيتم إطلاقه في عام 2016 وهي ذاكرة 3D XPoint.
الغريب في هذه الذاكرة طريقة بنائها حيث خلايا الذاكرة متوضعه فوق قضبان (لم يتم الإعلان عن المواد المستخدمة في صناعتها بعد) ويوجد عدة صفوف من الذواكر والقضبان المكدسة فوق بعضها البعض مما يسمح بعنونة كل خلية ذاكرة بشكل منفصل ولوحدها ، يتوضع فوق كل خلية ذاكرة جهاز اختيار وعند وصلها مع بعضها من خلال هذه القضبان أو بالأحرى الأسلك المجهرية فأصبح بالتالي يمكن اختيار أي خلية ذاكرة باختيار سلك من الأعلى وسلك من الأسفل وبسبب أنها غير كهربائية لا تحوي أي ترانسزتور كما هو الحال في ذواكر DRAM لذلك يمكن اختيار وكتابة القيمة على أي خلية ذاكرة بإرسال نبضة عبر الأسلاك ولأن كل خلية معنونة بشكل فردي فمن الكافي إرسال نبضة إلى سلك من الأعلى وسلك من الأسفل لاختيار الخلية والكتابة عليها مما يلغي الحاجة لوجود الترانزستور وبسبب تصميمها المكدس فوق بعضها وعدم وجود ترانزستورات أصبح من الممكن وضع مساحة تخزين أكثر بعشر مرات من DRAM أو بشكل أوضح أصبح بإمكاننا وضع خلايا ذاكرة بقيمة 10GB في نفس المساحة التي يمكن وضع 1GB في DRAM مما يخفض التكلفة أيضاً وعندما يأتي الأمر للأداء هنا تظهر قوة 3Dxpoint في زمن التأخير (يمكنك قراءة موضوع الذواكر RAM على موقعنا للتعرف أكثر على زمن التأخير) حيث يقاس زمن التأخير في ذواكر NAND بـ10 ميكرو ثانية ويصل في ذواكر 3Dxpint إلى 10 نانوثانية وهذا يلخص بأن الذواكر الجديدة تقدم البيانات عشر مرات أكثر من الـNAND لغريب أيضاً أن خلايا الذاكرة ليس لها عمر دورات كتابة أي يمكن أن تدوم كل العمر دون الخوف والقلق من انعطابها.
3D XPoint ذاكرة لها مستقبل كبير برأي الشخصي وستحدث ثورة رقمية عند إطلاقها ، شاركنا رأيك؟
مقال من كتابة المدون محمد ايهم الزعبي
ما الغريب في هذه الذاكرة؟ ماذا لو كانت سرعة الذاكرة لديك أسرع بكثير عما نعرفه في أيامنا هذه؟ يمكنك بالتأكيد إطلاق العنان لمعالجك المركزي ولن يكون لديك وقت انتظار نهائياً ، كما هو معروف مواصفات الذاكرة التي نسعى لها هي أن تكون سريعة ، رخيصة ، وغير كهربائية كي لا تذهب بياناتك عند انقطاع التيار الكهربائي عن الحاسب ، مقارنة بين أنواع الذواكر الموجودة في هذا الوقت وكرأي شخصي DRAM هي الأفضل حتماً الآن فهي سريعة جداً في وقتنا هذا لكنها تعتبر نوعاً ما غالية وهي كهربائية أي تفقد معلوماتها عند انقطاع التيار عنها وهي لا تتطور أو بالأحرى لا تتضاعف إلا كل سنتين مرة واحدة فقط لذلك هي فعلياً طريقاً مسدوداً الآن.
وفي وجه آخر ذواكر الـ NAND الموجودة في SSD في الوقت الحالي هي غير غالية وغير كهربائية وهي أيضاً سريعة مقارنة بأجهزة التخزين الأخرى حيث أنها أسرع ب 1300 مرة من القرص الصلب لكنها أبطأ بـ1500 مرة من ذواكر DRAM لذلك تعتبر أيضاً خيار غير مرغوب عند الكثير ، كما قلت سابقاً الهدف هو الحصول على ذاكرة رخيصة وسريعة والأهم من ذلك غير كهربائية وهذا ما توصلت إليه شركة Intel وهذا ما سيتم إطلاقه في عام 2016 وهي ذاكرة 3D XPoint.
الغريب في هذه الذاكرة طريقة بنائها حيث خلايا الذاكرة متوضعه فوق قضبان (لم يتم الإعلان عن المواد المستخدمة في صناعتها بعد) ويوجد عدة صفوف من الذواكر والقضبان المكدسة فوق بعضها البعض مما يسمح بعنونة كل خلية ذاكرة بشكل منفصل ولوحدها ، يتوضع فوق كل خلية ذاكرة جهاز اختيار وعند وصلها مع بعضها من خلال هذه القضبان أو بالأحرى الأسلك المجهرية فأصبح بالتالي يمكن اختيار أي خلية ذاكرة باختيار سلك من الأعلى وسلك من الأسفل وبسبب أنها غير كهربائية لا تحوي أي ترانسزتور كما هو الحال في ذواكر DRAM لذلك يمكن اختيار وكتابة القيمة على أي خلية ذاكرة بإرسال نبضة عبر الأسلاك ولأن كل خلية معنونة بشكل فردي فمن الكافي إرسال نبضة إلى سلك من الأعلى وسلك من الأسفل لاختيار الخلية والكتابة عليها مما يلغي الحاجة لوجود الترانزستور وبسبب تصميمها المكدس فوق بعضها وعدم وجود ترانزستورات أصبح من الممكن وضع مساحة تخزين أكثر بعشر مرات من DRAM أو بشكل أوضح أصبح بإمكاننا وضع خلايا ذاكرة بقيمة 10GB في نفس المساحة التي يمكن وضع 1GB في DRAM مما يخفض التكلفة أيضاً وعندما يأتي الأمر للأداء هنا تظهر قوة 3Dxpoint في زمن التأخير (يمكنك قراءة موضوع الذواكر RAM على موقعنا للتعرف أكثر على زمن التأخير) حيث يقاس زمن التأخير في ذواكر NAND بـ10 ميكرو ثانية ويصل في ذواكر 3Dxpint إلى 10 نانوثانية وهذا يلخص بأن الذواكر الجديدة تقدم البيانات عشر مرات أكثر من الـNAND لغريب أيضاً أن خلايا الذاكرة ليس لها عمر دورات كتابة أي يمكن أن تدوم كل العمر دون الخوف والقلق من انعطابها.
3D XPoint ذاكرة لها مستقبل كبير برأي الشخصي وستحدث ثورة رقمية عند إطلاقها ، شاركنا رأيك؟
مواضيع اخري هـامة بالنسبة لك
- كيفية عمل المعالج ومعالجته للبيانات بالتفصيل
- كيفية عمل الرام وكيف تسجل البيانات بداخلها
- كيف تعمل المازربورد علي ربط مكونات الكمبيوتر
- الفرق بين الهارد من نوع HDD ونوع SSD بالتفصيل
- كيف يعمل كرت الشاشة وما هي اجزاءه وكيف تختار الافضل؟
عن كاتب الموضوع
محمد أيهم الزعبي 22 سنة مختص في مجال الحاسب و يسعى لمساعدة الاخرين دوما.
محمد أيهم الزعبي 22 سنة مختص في مجال الحاسب و يسعى لمساعدة الاخرين دوما.